碳化硅单晶研究显微镜PZ-THG常用的主要是偏光显微镜和体视显微镜。偏光显微镜可用于碳化硅单晶缺陷显微分析。体视显微镜可观察升华法生长的 SiC 单晶 ，在样品腐蚀前后所观察到的微管数目也可显微观察碳化硅单晶宏观缺陷。
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碳化硅单晶显微镜
- 产品名称：碳化硅单晶显微镜PZ-THG
- 产品型号：PZ-THG
- 产品规格：根据选择而定
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产品概述
规格参数
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序号 |
产品名称/型号 |
技术参数 |
|
1 |
体视显微镜/XT-13C |
放大倍数：8.0X-80X 用于观察微管数目及宏观缺陷 |
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2 |
偏光显微镜/XP-63C |
放大倍数：40X-600X 用于碳化硅单晶微管缺陷显微分析 |
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3 |
数字摄像头/PZ-800M3G |
800万像素 具有二维测量功能 |
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选配仪器 |
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1 |
自动精密切割机 |
切割速度0.1-5mm/s精确可调，切割精度可达0.01mm |
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2 |
自动精密研磨抛光机 |
研磨抛光≤Ø142mm的圆片或对角线长≤142mm的矩形平面 平面度：每20mm×20mm小于0.002mm |
|
3 |
切割抛光辅料 |
|